非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象

作者：苏志国; 许金通; 陈俊; 李向阳; 刘骥; 赵德刚

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (06): 878-882.

• GaN
• 持续光电导
• 负光电导
• 负持续光电导 GaN
• persistent photoconductivity
• PPC
• NPPC

研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院半导体研究所; 山东大学; 传感技术国家重点实验室