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摘要
随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3 200Mbps级别。DDR PHY作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约DDR读写速度提升的关键。本文以TSMC 28nm工艺的DDR PHY设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题。最后该DDR PHY在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求。
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