真空退火对热蒸发纳米Cu薄膜性能的影响

作者：张明朝; 汪林文; 李玲; 陈艳; 张祥; 蔡金阳; 陈卫东^*; 李玲

来源：材料保护, 2018, 51(08): 86-89.

DOI：10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2018.08.017

• 纳米Cu薄膜
• 热蒸发法
• 导电性能
• 表面形貌
• 晶体结构

退火是提高薄膜材料耐温性及导电性的重要手段。采用热蒸发法在载玻片上沉积厚约132 nm的Cu薄膜,再分别在100,200,300,400,500℃对薄膜进行退火处理,得到不同温度退火的纳米Cu薄膜;用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和X射线衍射仪研究了退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、导电性能和晶体结构的影响。结果表明:当退火温度在500℃以下时,纳米Cu薄膜表面粗糙度和颗粒直径随着温度升高而增大,当温度到达500℃时突然减小; Cu薄膜的方块电阻随退火温度的升高呈降低趋势,薄膜的变异系数则出现先减小后增大的现象,当温度为300℃时变异系数最小;随着退火温度的升高,Cu薄膜的Cu(111)和Cu(200)晶面衍射峰越来越明显。

• 单位
  四川师范大学; 电子工程学院