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摘要
本发明涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法,该偏振光探测器以第一导电类型的二维纳米片沟道层结合第二导电类型的具有各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层搭建异质结结构,设置第一电极和第二电极分别位于偏振光敏化半导体层的两端侧与纳米片沟道层的表面接触,不与偏振光敏化半导体层接触,实现了可见光至红外波长范围内低噪声、高灵敏的近红外探测；另外其沟道层和偏振光敏化半导体层采用机械剥离法获得,并采用PVA/PDMS辅助干法转移技术将其两层层叠获得器件结构,该制备过程简单,技术成熟,设备易得,成本低廉,非常有利于商业化推广。
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