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摘要
本文通过分析集成电路级单粒子效应的表征形式和传播规律,建立了一套科学合理、操作性强的单粒子效应仿真和预估方法.在对集成电路级单粒子效应掩蔽因子计算方法、单粒子仿真评估流程研究的基础上,设计了基于故障注入方式的单粒子效应掩蔽因子计算方法以及仿真软件.本文利用该仿真方法对一款65 nm CMOS体硅工艺的ASIC电路进行软件仿真.仿真结果与试验结果分析表明,该仿真方法可以用于大规模集成电路的单粒子效应仿真,并对试验结果具有一定的预估能力.
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单位北京微电子技术研究所
