超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计

作者：肖南; 葛玲; 刘文其; 孙婷婷; 宾峰

来源：低温与超导, 2019, 47(08): 42-47.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2019.08.009

• 超导接收前端
• 高电子迁移率晶体管
• 偏置电源
• 电控组件

超导接收前端以超导滤波器和高电子迁移率晶体管(HEMT)低温放大器构成核心微波电路,其HEMT放大器在低温下拥有极低的工作噪声,但对偏置供电的要求很高,只有在特定偏置下,系统才拥有最佳的工作稳定度、高增益和低噪声。本文针对多信道超导接收前端,设计了一种多通道、模块化,带程控通讯的超导接收前端用HEMT低噪放电控组件,为设备核心射频通道提供供电、切换和远程控制。其供电偏置可调、供电纹波≤3 mV,并提供多路TTL电平接口,支持RS485数据通讯控制,便于模块化安装,在超导接收前端分机中工作状况良好。