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摘要
本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法,探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极,其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线,在合成过程中通过原位掺杂实现n型掺杂,以及利用光刻、电子束和脉冲激光沉积工艺制备源漏电极,从而制得ZnSe纳米光电探测器。本发明探测器中感光层采用n-型掺杂的ZnSe纳米线,能有效增强纳米光电探测器的电信号,提高其开关比；其制备方法简单,能使ZnSe纳米线平行排布,从而增加感光面积,进一步提高电信号。
- 单位
