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摘要
为了降低PZT合成时PbO的挥发,以保证PZT化学计量比的准确性,并改善PZT压电陶瓷的生产环境,提出了一种降低PZT合成温度的方法。利用DSC-TGA测试混料后PZT原材料的理论预烧温度,对预烧后的粉末进行XRD衍射分析,并测试了烧结后的PZT压电陶瓷片的烧结密度及其电性能。测试结果表明:采用干压小圆块的方式,能够将预烧温度降至710℃;采用1250℃进行烧结,能够获得烧结密度较好、介电性能和压电性能较优异的陶瓷片。
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为了降低PZT合成时PbO的挥发,以保证PZT化学计量比的准确性,并改善PZT压电陶瓷的生产环境,提出了一种降低PZT合成温度的方法。利用DSC-TGA测试混料后PZT原材料的理论预烧温度,对预烧后的粉末进行XRD衍射分析,并测试了烧结后的PZT压电陶瓷片的烧结密度及其电性能。测试结果表明:采用干压小圆块的方式,能够将预烧温度降至710℃;采用1250℃进行烧结,能够获得烧结密度较好、介电性能和压电性能较优异的陶瓷片。
