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摘要
使用铟（In）掺杂氮化镓（GaN）可以调制其许多性质，从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中，材料的热导率是至关重要的性质，直接关系到器件的稳定性，因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹曼输运方程研究了In掺杂对GaN热导率的影响，结果表明掺入In之后，GaN的热导率明显降低，且其光学声子分支和声学声子分支对热导率的变化也发生了一定的改变。研究结果可以为GaN基半导体器件的设计提供理论指导。
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单位江西省光电子与通信重点实验室; 江西科技师范大学
