ALD制备氧化铝及其钝化性研究

作者:石惠君; 倪玉凤; 张博; 陈丹; 王冬冬
来源:中国新技术新产品, 2023, (20): 55-57.
DOI:10.13612/j.cnki.cntp.2023.20.032

摘要

该文通过原子层沉积(ALD)法制备TOPCon(隧穿氧化钝化电池)太阳电池中的Al2O3钝化膜,研究ALD沉积工艺参数(反应循环次数循环数、加热温度和三甲基铝(TMA)流量)对硅片少子寿命的影响。通过比较氧化铝薄膜少子寿命差异,得出最佳氧化铝薄膜制备工艺参数,并在该条件下制备了TOPCon太阳电池。结果表明,在反应循环次数65cycle、加热温度220℃和TMA流量30sccm的条件下制备的Al2O3薄膜钝化性最优,该工艺参数下制备的TOPCon电池效率最高,达到了24.10%。

  • 单位
    青海黄河上游水电开发有限责任公司

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