PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位

来源：世界电子元器件, 2019, (09): 31-33.

<正>氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位,GaN器件正在向各应用领域渗透着。以电源管理为例,随着新应用对高