集成电子薄膜材料研究进展

作者：李言荣; 张万里; 刘兴钊; 朱俊; 闫裔超

来源：中国材料进展, 2013, (02): 102-106.

• 薄膜技术
• 电子材料
• 电子器件 thin film technology
• electronic materials
• electronic devices

首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学