通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnO TFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42 cm2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×108。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。