一种氧化镓量子点材料及其制作方法

作者：冯倩; 武文凯; 李佳乐; 王垚; 刘民伟; 罗子翔; 张进成

来源：2023-08-31, 中国, CN202311112228.5.

本发明公开了一种氧化镓量子点材料及其制作方法,主要解决现有氧化镓量子量子点密度不均匀,材料质量差的问题。其自下而上包括衬底(1)、低温AlN成核层(2)、高温AlN层(3)、GaN层(4)和量子点(5),该量子点采用Ga-2O-3材料,并通过控制TEG在载气N-2的作用下的流速和O-2的流速,使得三乙基镓TEG与O-2反应生成Ga-2O-3,当Ga-2O-3与GaN之间产生的晶格失配时产生应力,并随着Ga-2O-3的继续生长应力不断积累,在GaN层上形成高为6nm-12nm、宽为30nm-70nm的等间隔三维岛状阵列结构。本发明提高了量子点的均匀性,提升了氧化镓量子点材料的质量,可用于制备高性能的紫外波段光电子器件。

• 单位
  西安电子科技大学