SiHCl3还原工艺的关键参数探究

作者：贾曦; 梅艳; 胡小冬

来源：山东化工, 2018, 47(11): 96-99.

DOI：10.19319/j.cnki.issn.1008-021x.2018.11.042

• 多晶硅
• 节能降耗
• 改良西门子法
• 还原
• 氢化

多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等。改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺方法。SiHCl3还原是其中一项关键技术,也是主要耗能部分。在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下,如何提高SiHCl3一次转化率和Si的沉积速率,从而提高产量和质量,降低能耗,具有重要意义。本文针对该问题探究相关参数和优化方法,结合生产实践,探究合理解决方案。

• 单位
  乐山职业技术学院