一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法

作者：兰林锋; 李育智; 彭俊彪

来源：2016-02-23, 中国, ZL201610098295.X.

一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法,薄膜的主要成分为InLiOX,其中X为Cl或F中的至少一种；In:(In+Li)的范围为70%～99%,Li:(In+Li)的范围为1%～30%,X:(In+Li)的范围为0.5%～10%。其制备方法包括,(1)将前驱体溶液涂布形成前驱体薄膜；(2)前烘；(3)将待图形化的前驱体薄膜放入掩膜板中；(4)紫外光照射；(5)浸泡剂浸泡；(6)经浸泡处理后的薄膜进行热处理得到目标氧化物薄膜；(7)重复以上步骤得到需要厚度的成品氧化物薄膜。该氧化物半导体薄膜及其制备方法满足在低温下通过溶液法制备,且该氧化物半导体薄膜的迁移率高、稳定性好。

• 单位
  华南理工大学