摘要

用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在EV+0.365eV和EV+0.282eV的深中心,它们的浓度分别为1.67×1012cm-3和3.86×1011cm-2,俘获截面分别为1.43×10-14cm2和1.53×10-16cm2.它们来源于以化学杂质形式存在的Au和(或)TeCd-复合体,或与氩氧气氛下沉积CdTe时的氧原子相关.