反激变换器MOSFET开通电流尖峰的PSIM仿真研究

作者：季三飞; 谭王景; 雷蕊英; 王晴

来源：湖南工业职业技术学院学报, 2020, 20(02): 6-39.

DOI：10.13787/j.cnki.43-1374/z.2020.02.002

• 反激变换器
• RCD箝位电路
• 电流尖峰
• 结电容

针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响。最后在PSIM中建立了反激变换器的仿真模型,仿真结果证实:由于变压器的分布电容与箝位二极管的结电容都会在MOSFET开通时刻进行充电,从而产生较大的充电电流,最终体现为MOSFET的开通电流尖峰。

• 单位
  陕西工业职业技术学院