磁控溅射法对制备MgB2超导薄膜性能的影响

作者：张竺立; 李向东

来源：长治学院学报, 2021, 38(02): 27-31.

• 超导材料
• MgB2
• 磁控溅射法
• 制备

MgB2超导转变温度可达39 K,结构简单,临界电流密度高。由于MgB2可以承载高电流密度和磁场,从而在超导电子器件领域具有很大的应用潜能。电子器件是以薄膜为基础的,因此制备出性能优越的MgB2超导薄膜尤为重要。文章通过将脉冲激光沉积法、分子束外延法、化学气相沉积法和混合物理化学气相沉积法、电子束退火法与磁控溅射法制备的MgB2超导薄膜进行比较,分析了磁控溅射法的优越性。简述了磁控溅射法制备MgB2超导薄膜的研究现状及掺杂对MgB2超导薄膜性能的影响,对制备高性能的MgB2超导薄膜具有重要的参考价值。

• 单位
  电子工程学院; 长治学院