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摘要
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而，随着单晶直径的扩大，如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布，模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整。对两个批次的6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC单晶衬底分别进行了(004)面X射线摇摆曲线全图扫描，评价了衬底结晶质量，并在衬底上进行了GaN外延生长。结果表明，采用结晶质量好且均匀的SiC单晶衬底，外延生长的GaN质量更高。
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单位中国电子科技集团公司第十三研究所; 山东大学; 晶体材料国家重点实验室
