带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

作者：雷达; 曾乐勇; 夏玉学; 陈松; 梁静秋; 王维彪

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (11): 6616-6622.

• 纳米线
• 冷阴极
• 场增强因子
• 场发射 nanowire
• cold cathode
• enhancement factor
• field emission

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N~2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d...

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 应用光学国家重点实验室