“双碳”目标下三代半导体的发展分析

作者:许景通; 王二超; 常青松; 徐达; 袁彪; 史光华
来源:电子工艺技术, 2022, 43(01): 4-7.
DOI:10.14176/j.issn.1001-3474.2022.01.002

摘要

第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料。通过大力发展第三代半导体,尤其是目前大量应用的碳化硅和氮化镓,以及探索新一代半导体材料,对支撑碳达峰、碳中和意义重大。