一种采用电压检测器的无片外电容FVF-LDO

作者：王瑄; 王卫东

来源：微电子学, 2019, 49(05): 674-679.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180468

• 低压差线性稳压器
• 翻转电压跟随器
• 瞬态响应
• 无片外电容

提出了一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用电压检测器来检测输出电压,大幅改善了瞬态响应,克服了常规LDO面积大、需要使用片内大电容的缺点,仅消耗了额外的静态电流。该LDO采用90 nm CMOS工艺进行设计与仿真,面积为0.009 6 mm2,输入电压为1.2 V,压差为200 mV。结果表明,在50 pF负载电容、3～100 mA负载电流、300 ns跃迁时间的条件下,产生的上冲电压为65 mV,瞬态恢复时间为1μs,产生下冲电压为89 mV,瞬态恢复时间为1.4μs,且将负载调整率性能改善到0.02 mV/mA。

• 单位
  桂林电子科技大学