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摘要
通过电介质物理和数学方法,对氮化硅陶瓷的极化机制进行了研究,将氮化硅介电常数看作是电子位移极化、离子位移极化及热离子极化3个部分的贡献总和,且成功解释了α-Si3N4和β-Si3N4间的介电常数差。研究发现,在微波条件下,介电损耗主要来源于弛豫损耗及电导损耗,分析了其在不同温度段的主要作用,且计算了介电常数温度系数。通过一些微观参数建立了氮化硅介电常数及介电损耗随温度的变化关系和影响因素模型,与实验值符合较好。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
