MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性

作者：何荣华

来源：集成电路应用, 2021, 38(02): 14-15.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.02.005

• Power MOSFET
• 多脉冲UIS
• 器件退化
• 集成电路
• 汽车电子

阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义。