氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响

作者：李世涛; 乔学亮; ***

来源：稀有金属材料与工程, 2006, (01): 138-141.

DOI：10.3321/j.issn:1002-185X.2006.01.035

• 磁控溅射
• 铟锡氧化物
• 透明导电薄膜
• 氧流量

采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0~10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜。紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构。结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9sccm时,透射率超过80%(波长λ=400nm~700nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善。XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物。

• 单位
  华中科技大学