2型糖尿病患者工作记忆特征的事件相关电位研究

作者：汪文静; 尹世敏; 黄玲; 徐芳; 王磊^*

来源：中国现代医生, 2018, 56(25): 109-115.

• 2型糖尿病
• 工作记忆
• 事件相关电位
• n-back试验

目的比较2型糖尿病患者与正常人在三种工作记忆(working memory,WM)负荷水平下所诱发的事件相关电位(event-related potentials,ERPs)成分及其脑区分布差异,分析其事件相关电位的特点,讨论2型糖尿病患者工作记忆损害的神经机制。方法选取2012年6月～2013年10月期间火箭军总医院神经内科及内分泌科门诊和住院患者,筛选出2型糖尿病患者40例(男19例,女21例,最大年龄75岁,最小年龄55岁,平均67.45±7.82岁)。同时筛选出正常对照组40例(男18例,女22例,最大年龄75岁,最小年龄55岁,平均68.85±7.10岁),年龄、性别等相匹配。两组受试者均行n-back试验(n=0,1,2)工作记忆任务的ERPs试验,随着记忆负荷的增加,难度逐渐增大。记录脑电变化,离线分析数据。结果三种不同的记忆负荷水平均出现了P300成分,其变化在额叶显著。两组比较,0-back时,2型糖尿病组P300潜伏期较对照组延长,1-back时,2型糖尿病组波幅较对照组降低,差异有统计学意义。结论通过对三种记忆负荷水平下事件相关电位的研究,表明2型糖尿病患者存在工作记忆受损,而这种表现在额叶最为明显,提示额叶在工作记忆的处理过程中起重要作用。

• 单位
  北京市顺义区医院; 神经内科; 中国人民解放军第二炮兵总医院