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摘要
为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy, ARE)设备红外热源的设计，分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟，研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况，实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时，当灯管阵列灯管长度为200 mm,数量为11根，间距10 mm,距离硅片15 mm时硅片表面温度不均匀度达到0.683%,满足红外加热吸附反应外延工艺需求，可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。
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单位中国科学院微电子研究所; 昆明理工大学; 自动化学院
