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摘要
AlGaN基紫外激光器(LD)已被广泛应用于生物、化学等领域，但目前还存在着诸如自发极化效应强烈、载流子注入效率低等问题，因此对于该类型LD的研究和改良十分重要.本文参考相关文献实验样品结构，采用PICS3D仿真软件，对不同结构的AlGaN基电注入边发射紫外LD进行仿真计算，在实验样品基础上提出了具有更加优异光电性能的超晶格p型层激光器结构，并通过比较能带结构、辐射复合率、电流分布等性质，进一步分析了激光器性能提升的机制.最终得到的优化后的紫外激光器具有更高的光输出功率、载流子注入、受激辐射复合率，更低的阈值电流、串联电阻、电子泄露等，实现了紫外激光器的性能提升.
