PI-TSV等效热导率提取与验证

作者：丁英涛; 周明睿; 程志强; 肖磊

来源：北京理工大学学报, 2019, 39(11): 1180-1186.

DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2017.351

• T/R组件
• 硅通孔
• 有限元分析
• 等效热导率

与传统的T/R组件相比,采用转接板技术实现的2.5D集成硅基T/R组件体积更小,集成度更高,散热性能更好.硅通孔(through-silicon-via, TSV)是其中的关键结构.本文针对2.5D集成的复杂T/R组件难以直接建模进行有限元热学仿真的问题,通过提取TSV等效热导率的方法简化仿真.对聚酰亚胺(Polyimide, PI)作为绝缘介质层的硅通孔(PI-TSV)进行了相应的有限元数值模拟,并改变结构参数,研究了不同结构因素对PI-TSV等效热导率的影响.给出了PI-TSV等效热导率关于中心导电铜柱直径、绝缘介质层厚度及TSV间距的经验公式.

• 单位
  北京理工大学