摘要
在固溶体Ce4.5Gd1.5MoO15-δ体系中的Ce位引入少量Pr得新氧化物Ce4.5Gd1.5-xPrxMoO15-δ(x=0.15),通过X射线粉末衍射(XRD)对氧化物结构进行分析,交流阻抗谱测试电性能,讨论掺杂少量Pr对Ce4.5Gd1.5MoO15-δ电性能的影响。结果表明,少量Pr3 的掺杂可降低晶界电阻,增加离子扩散通道,降低体系的总电导激活能和晶界电导激活能,提高氧化物的总电导率和晶界电导率。600℃时掺Pr材料的晶界电导率为1.04×10-2S/cm,高于未掺Pr材料的晶界电导率(5.27×10-4S/cm)约1倍。
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单位抚顺职业技术学院