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摘要
本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法,主要解决现有氮极性面GaN材料位错密度高、表面形貌差、非故意掺杂背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大的问题。其材料结构自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、GaN外延层(3),其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN,衬底采用非斜切面的氮极性面氮化镓单晶。其制作步骤为：在衬底基片上,利用分子束外延方法生长厚度为1nm-10nm的过渡层；用分子束外延方法,在过渡层上生长GaN外延层。本发明材料结晶质量高,表面形貌光滑,背景载流子浓度低,生长工艺简单,工艺重复性和一致性高,可用于制作高电子迁移率晶体管和高速微波整流二极管。
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