基于碳纳米管的CMOS逻辑电路的模拟和优化

作者:王昦; 张志勇; 王胜; 陈清
来源:北京大学学报(自然科学版), 2009, 45(3): 415-420.
DOI:10.3321/j.issn:0479-8023.2009.03.008

摘要

基于查表模型,利用SPICE(simulation program with integrated ciruit emphasis)电路模拟软件,首次模拟了互补型碳纳米管(CNT)场效应晶体管组成的反相器,模拟结果和实验结果吻合,实现了碳纳米管场效应晶体管的实际测量数据和半经验查表模型的衔接.利用直流特性分析和瞬态特性分析等仿真手段研究了CNT CMOS反相器的功耗和门延迟特性随工作电压和器件阈值电压变化的关系,并对电路设计和工作状态提出了优化方案.进一步模拟了与非门和或非门,并提出了电路的优化方案.

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