西安200 MeV质子应用装置200 MeV质子辐照CCD的实验结果与分析

作者：王祖军; 薛院院; 王迪; 焦仟丽; 刘卧龙; 杨业; 赵铭彤; 王忠明; 陈伟

来源：现代应用物理, 2021, 12(02): 95-101.

• 电荷耦合器件
• 质子辐照
• 位移损伤
• 电离损伤
• 损伤机理

为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×1010 cm-2时,得到了CCD性能退化的实验结果,分析了CCD的暗信号、暗电流密度、随机噪声、暗信号不均匀性、暗信号尖峰及其分布等暗场特性参数和饱和输出、动态范围、电荷转移效率等明场特性参数退化的实验规律和损伤机理。结果表明,200 MeV质子辐照后,CCD暗场特性参数退化显著,退火后,暗场特性参数虽有一定程度的恢复,但远未恢复到辐照前的水平;明场特性参数的退化程度相对较小,退火后,明场特性参数略有恢复。CCD的质子辐照损伤主要源于质子辐照CCD诱发产生的电离损伤和位移损伤。

• 单位
  湘潭大学; 西北核技术研究所