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摘要
本实用新型公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片,包括四个发光单元通过金属线连接实现串联,金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；发光单元的有源区的直径是100μm至200μm之间；整个芯片表面都具有纳米孔,纳米孔的直径是300nm至1000nm之间。本实用新型使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时,沉积四层金属薄膜之后,新增一层介质薄膜；同时,采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料,在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率,整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化,都有利于光子模式的逸出,提高出光效率和调制带宽。
- 单位
