ZnO:Eu纳米材料的研究进展

作者：洪春水^*; 杨雷; 祝文才

来源：广东化工, 2021, 48(18): 84-85.

• 稀土
• ZnO
• 掺杂
• 纳米材料
• 位置分析
• 能量传递

ZnO是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,常温下禁带宽度约为3.36 eV,激子结合能约为60 meV。ZnO可以作为紫外光发射材料,室温或下,激子有较好的环境稳定性。常见的ZnO发光,除了有带隙的紫外发光外,还存在可见的缺陷发光,常见的缺陷发光是ZnO内的氧空位在500～530 nm的绿光发射。稀土离子具有4f电子,有着丰富的能级结构。ZnO掺杂稀土元素后,ZnO的带隙中可以存在丰富的能级,从而对稀土掺杂ZnO进行发光波长的调控和剪裁,促使丰富多彩的发光。将稀土掺杂ZnO材料做出纳米级后,会有一些多优点,例如纳米级的稀土掺杂ZnO材料显示精度会高于微米级,纳米级的稀土掺杂ZnO材料具备一定的光催化能力,有些纳米级的稀土掺杂ZnO可以做出荧光探针,具备一定的探测能力。近年来有许多稀土掺杂ZnO纳米材料的论文报道。本文将综述Eu掺杂ZnO纳米材料近年来的研究进展。

• 单位
  材料科学与工程学院; 永州市湘江稀土有限责任公司; 湖南大学