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摘要
本发明公开了一种异质栅介质凹型沟道隧穿场效应晶体管,主要解决锗基隧穿场效应晶体管米勒电容值大的问题。其包括：P#衬底(1)、N+夹层(2)、P+源区(3)、N+漏区(4)、栅区(7)和凹型沟道(8)；P+源区(3)和N+夹层(2)自左向右依次位于P#衬底(1)的左侧,N+漏区位于P#衬底的右侧,凹型沟道位于N+夹层与N+漏区之间,凹型沟道的左侧设有第一栅介质(5),凹型沟道的右侧设有第二栅介质(6),栅区位于第一栅介质与第二栅介质之间,其中第一栅介质采用TiO2,第二栅介质采用SiO2。本发明降低了米勒电容值,提高了晶体管的开态电流和开关频率,可用于低功耗数字集成电路的制备。
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