微尺寸半导体桥电容发火特性研究

作者：贺翔; 董海平^*; 樊志伟; 严楠

来源：火工品, 2023, (02): 1-6.

• 半导体桥
• 电爆
• 后期放电
• 发火电容
• 发火电压
• 掺杂浓度
• 点火药剂

为了获得微尺寸半导体桥电容发火的特征参数与设计参数的关系，对20μm×50μm×4μm 60°的半导体桥进行了不同掺杂浓度、发火电容、发火电压及两种点火药剂下的发火试验，获得设计参数与半导体桥的特征能量、特征时间的关系。结果表明：半导体桥的发火电容值从10μF增大到68μF时，高掺杂的半导体桥/斯蒂芬酸铅的最小全发火电压为6.23～4.28V，比低掺杂的半导体桥降低了0.86～1.52V；半导体桥发生电爆所需的电能随着掺杂浓度的提高而减小，但与电压值、电容值、药剂种类无关；发生电爆所需的时间随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而缩短；等离子体加热时间和能量随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而增大。

• 单位
  爆炸科学与技术国家重点实验室; 西安航天动力技术研究所; 北京理工大学