溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响

作者：李超; 周勇; 宋阳; 贺利军; 蒋书文

来源：材料保护, 2013, S2: 51-52.

DOI：10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2013.s2.031

• TaN
• TCR
• GF
• 应变计 TaN
• strain gauge

采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明:溅射温度对TaN薄膜的微结构有显著影响;不同的溅射温度下,TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同;在400℃溅射温度下,N2分压为4%,溅射功率为200 W的条件下,制备的TaN薄膜应变计的TCR为50×10-6℃,GF为9,该薄膜应变计性能稳定,重复性好。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学