本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法,是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列,再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜,构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结,然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极,即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材,利用磁控直流反应溅射,一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备,探测器性能优越、制备过程简单易行,与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。
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