磁控溅射法制备LiTaO3薄膜及其结晶性能研究

作者：孙斌玮; 杨明; 苟君; 王军; 蒋亚东

来源：半导体光电, 2019, 40(06): 806-814.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.012

• 钽酸锂
• 铁电薄膜
• 射频磁控溅射
• 结晶性能
• 近化学计量比

用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜,并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方法分析了薄膜的结晶性能、各元素化学价态和元素原子百分比。结果表明,经700℃退火处理1h得到的薄膜结晶性能最好,在(104)晶向上具有强烈的择优取向性。薄膜退火温度的升高导致薄膜中Li空位缺陷和O空位缺陷减少。研究表明,薄膜中O/Li的原子比对结晶性能有着非常明显的影响,原子值越接近晶体化学计量比,结晶性能越好。

• 单位
  电子科技大学