射频溅射法制备的CoFe_2O_4薄膜结构及磁性能

作者：于永杰; 杨成韬; 王磊; 陈强; 张亚磊

来源：磁性材料及器件, 2009, (06): 19-21+54.

• CoFe_2O_4薄膜
• 退火
• 结构
• 磁性能 CoFe2O4 thin films
• annealing
• microstructure
• magnetic properties

采用射频溅射法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,分别采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)进行测试和分析。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐增大,在600℃左右退火,晶粒长大受到抑制;Ms和Hc随退火温度的升高都是先增大后减小;薄膜晶粒大小和膜内晶格应力导致垂直膜面方向矫顽力大于平面方向矫顽力。在600℃退火,Hc⊥/Hc∥值达到了2.72,表明制备的CFO薄膜具有高度垂直各向异性。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室