分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO2作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
