登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
作者:D.Cavallaro; M.Pulvirenti; E.Zanetti; M.Saggio
来源:
电源世界
, 2019, (01): 25-27.
碳化硅(SiC)MOSFET
短路
热模型
失效分析
栅极氧化层可靠性 SiC MOSFET
Short circuit
Thermal model
Failure analysis
Gate oxide reliability
摘要
本文分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)结果。该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
相似论文
引用论文
参考文献