碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

作者：D.Cavallaro; M.Pulvirenti; E.Zanetti; M.Saggio

来源：电源世界, 2019, (01): 25-27.

• 碳化硅(SiC)MOSFET
• 短路
• 热模型
• 失效分析
• 栅极氧化层可靠性 SiC MOSFET
• Short circuit
• Thermal model
• Failure analysis
• Gate oxide reliability

本文分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)结果。该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。