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摘要
碳化硅（SiC）材料由于其出色的物理和化学特性，非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）展示了出色的器件性能，并获得广泛的应用，但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传统器件性能的进一步提升。超结（SJ）作为一种在硅基器件中广泛应用的技术，能明显改善器件击穿电压和比导通电阻之间的折中关系，提升器件的性能。近年来，SiC SJ器件逐渐成为研究的热点，并取得显著进展。文章从SiC SJ器件的设计与仿真模拟、模型研究和SJ工艺制备技术等方面论述了其最新研究现状及发展方向。
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单位电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学
