纯镁单晶制备研究

作者:刁千顺; 蔣卫斌; 孔庆平; 蔡民; 刘长松; 方前锋
来源:人工晶体学报, 2013, (04): 598-600+610.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.04.010

摘要

利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为Φ50 mm的纯镁单晶。通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量。

  • 单位
    中国科学院固体物理研究所

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