RF MEMS器件牺牲层释放工艺研究

作者：刘志斌; 马玉; 周拥华

来源：电子元器件与信息技术, 2019, (01): 59-64.

DOI：10.19772/j.cnki.2096-4455.2019.1.017

• RF MEMS器件
• 牺牲层
• 快速冷冻升华
• 超临界

牺牲层释放是RFMEMS器件制造过程中的关键工序之一。本文采用多种方法进行牺牲层湿法释放对比试验,从中优选出较佳的去胶溶液及其参数、置换溶液及其参数和2种成品率较高的干燥方法:快速冷冻升华法和超临界干燥法,可使RFMEMS器件牺牲层释放成品率大于等于85%。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十四研究所