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摘要
为了提高简单立方（SC）点阵结构的平压力学性能，在ABAQUS中对SC单胞建立了周期边界约束方程，并通过ESO算法对周期边界条件下的SC单胞进行了拓扑优化设计。随后对优化SC单胞的等效弹性模量进行了求解，发现优化SC单胞的等效弹性模量明显优于传统SC单胞，从外部去除单胞材料可使优化单胞等效压缩模量提高27.14%，从内部去除单胞材料可使单胞等效剪切模量提高46.18%。最后将优化SC单胞从单胞层面扩展到宏观结构中，探究了三类SC点阵结构的静态平压性能，得出结论：周期边界条件与ESO相结合的拓扑优化方法，可使SC结构静态平压时的抵抗力得到明显的提升。相比传统SC点阵结构，优化后的SC点阵结构抵抗力提高了20%以上。
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