摘要
为提高ITO玻璃在中、低频磁场的屏蔽效能,采用恒流电镀工艺,以不同的电流密度(0.4、1.3、2.2、3.1 A·dm-2)在ITO玻璃表面电镀沉积镍薄膜。采用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻测试仪及微同轴屏蔽效能测试装置对材料的形貌、物相、透过率、电导率及电磁屏蔽效能进行测试及表征。结果表明:随着电流密度的增大,镍薄膜厚度、电导率、屏蔽效能逐渐增大,透光率逐渐减小。其中电流密度为2.2 A·dm-2时所制备的镀镍ITO玻璃电导率和屏蔽性能较好,电导率为0.99 S/mm,平均屏蔽效能为35.57 dB。
- 单位