摘要

碳纳米管是典型的一维材料,在光电器件中具有潜在的应用价值,实验发现缺陷会使碳纳米管光谱产生红移的卫星峰,但这些红移峰的起源并不清楚.我们应用多体格林函数理论中的GW方法和Bethe-Salpeter方程,计算了手性的(6,4)碳纳米管的能带和吸收光谱,在此基础上探讨了空位和Stone-Wales两种本征缺陷对碳纳米管的影响,并与非手性的(n,0)碳纳米管做了比较,揭示了碳纳米管中红移卫星峰的产生机理.这些发现为碳纳米管在光电子领域的应用提供了一定的参考,具有重要的价值.

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